Схема npn транзистора с общей базой

Зачем же такая схема нужна, в чем ее польза? Усилительные свойства в этом режиме, естественно, хуже некуда, поэтому транзисторы в этом режиме используются очень редко. Основная статья: Каскад с общим эмиттером Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх = Iк/Iб = Iк/(Iэ-Iк) = α/(1-α) = β [β>>1]. Входное сопротивление: Rвх = Uвх/Iвх = Uбэ/Iб. Достоинства Большой коэффициент усиления по току. Если рассматривать транзистор как четырёхполюсник, то у него должно быть два входных и два выходных вывода. Для питания транзистора в схеме с общей базой может подойти любая из рассмотренных нами схем: схема с фиксированным током базы, схема с фиксированным напряжением на базе, схема с коллекторной стабилизацией или схема с эмиттерной стабилизацией. Соответственно, основные носители заряда коллектора и эмиттера «бегут» в базу, где активно рекомбинируют с ее основными носителями. Из-за возникающей избыточности носителей заряда сопротивление базы и p-n переходов уменьшается.

Схема изображена на рисунке. На схеме VT – собственно транзистор. Чем больше будет освещённость области базы, тем существенней станет ток коллектора фототранзистора. Так вместо резистора R4 можно поставить резистор на 620 ом, резистор R2 заменим на резистор с номиналом 20 килоом, резистор R1 заменяем на резистор 75 килоом.
При увеличении обратного тока коллектора транзистора, увеличивается ток коллектора, что вызывает более полное открывание транзистора и уменьшение коллекторного напряжения. Транзистор, включённый по схеме с общим эмиттером, теоретически может дать максимальное усиление сигнала по мощности, относительно других вариантов включения транзистора. Область базы обогащается инжектируемыми носителями заряда, которые в области эмиттера были основными, а в области базы стали неосновными. Численное значение коэффициента α = 0,9—0,999. Чем больше коэффициент, тем эффективней транзистор передаёт ток.

Похожие записи: